[半导体电子学]反偏漏电流

  • A+
所属分类:专业基础
对于N型或者P型半导体,本来其载流子的浓度取决于掺杂的浓度,但是当温度越来越高的时候,本征激发的作用超过了掺杂带来的载流子浓度,所以掺杂半导体会越来越像本征半导体的行为。也就是,高温下掺杂半导体载流子的浓度受掺杂浓度影响不大了,主要受半导体材料的带隙宽度影响。

 

至于PN结,通常高温下,其反偏的漏电流会增加,这是因为PN结的反向饱和电流是和PN结两边的少子浓度成正比的,而少子浓度又正比与本征载流子浓度,温度升高,本征载流子浓度是变高的。对于正偏来说,温度升高,正向电流也是变高的,或者说导通电压是降低的。

[半导体电子学]反偏漏电流

weinxin
XCJinggai的微信
这是我的微信二维码,有任何问题请加微信联系我!或发送邮件至lqzhangfengxi@163.com
XCJinggai

发表评论

:?: :razz: :sad: :evil: :!: :smile: :oops: :grin: :eek: :shock: :???: :cool: :lol: :mad: :twisted: :roll: :wink: :idea: :arrow: :neutral: :cry: :mrgreen: